安防之家讯：在为大家介绍cmos管制作工艺之前先为大家讲解下cmos管的概念，所谓的cmos管就是指cmos晶体管，金属-氧化物-半导体(metal-Oxide-Semiconductor)结构的晶体管简称MOS晶体管，有P型MOS管和N型MOS管之分。由 MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，而由PMOS管和NMOS管共同构成的互补型MOS集成电路即为 CMOS-IC（ Complementary MOS Integrated Circuit）。

目前使用最最广泛的晶体管是CMOS晶体管，CMOS晶体管特点是什么？首先CMOS晶体管功耗和抗干扰能力优于同时期的TTL器件，而且速度和TTL器件相当，所以CMOS取代TTL是大势所趋，我们看到目前集成电路上的晶体管还有几乎所有PLD器件都是采用CMOS技术，这一点就说明了CMOS的大行其道。

cmos管制作工艺的制作方法，包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成氮化硅层；对氮化硅层进行刻蚀工艺，在所述栅极结构两侧形成偏移间隙壁；在偏移间隙壁表面形成保护层；形成覆盖NMOS有源区的第一光刻胶层；在栅极结构两侧的半导体衬底内形成P型轻掺杂区；进行灰化工艺，去除所述第一光刻胶层；形成覆盖所述PMOS有源区的第二光刻胶层；在栅极结构两侧的半导体衬底内形成N型轻掺杂区；进行灰化工艺，去除所述第二光刻胶层；形成NMOS晶体管的侧墙、源/漏区，形成PMOS晶体管的侧墙、源/漏区。本发明避免灰化工艺对偏移间隙壁的损伤，防止器件的衰减，可以去除全部光刻胶层，防止硅损失和器件漏电流。



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